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TPM2008EP3-1
N沟道 20V 700mA
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- 描述
- 特性：表面贴装封装。 N沟道开关，低导通电阻RDS(on)。 在低逻辑电平栅极驱动下工作。 ESD保护。 与TPM2009EP3互补。应用：负载/电源开关。 接口开关
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM2008EP3-1
- 商品编号
- C2928699
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V；190mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- 采用表面贴装封装的N沟道开关，具备低导通电阻（Rps(on)），可在低逻辑电平栅极驱动下工作
- 具备静电放电（ESD）保护功能
- 与TPM2009EP3互补
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换
优惠活动
购买数量
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