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ACPL-K33T-560E实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ACPL-K33T-560E

具有轨到轨输出电压的2.5 A峰值高输出电流碳化硅(SiC)MOSFET和IGBT栅极驱动光耦合器

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描述
包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。具有快速传播延迟和紧密的时序偏差,专为驱动AC-DC和DC-DC转换器中使用的SiC MOSFET和IGBT而设计。输出级的高工作电压范围为栅控设备提供所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合在高频下直接驱动SiC MOSFET和IGBT,以实现高效转换。提供增强绝缘和可靠性,可在汽车和高温工业应用中实现安全的信号隔离。
品牌名称
Broadcom(博通)
商品型号
ACPL-K33T-560E
商品编号
C2927813
商品封装
SOP-8-6.8mm​
包装方式
编带
商品毛重
0.422克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动光耦
负载类型IGBT;MOSFET
通道数1
CMTI(kV/us)50kV/us
驱动侧工作电压15V~30V
峰值输出电流2.5A
传播延迟 tpHL120ns
传播延迟 tpLH120ns
属性参数值
隔离电压(Vrms)5kV
耗散功率(Pd)550mW
工作温度-40℃~+125℃
正向压降(Vf)1.5V
直流反向耐压(Vr)6V
下降时间(tf)15ns
上升时间(tr)15ns

数据手册PDF