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CR7N65A4K
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- CR7N65 A4K是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管。该技术可降低传导损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- CR7N65A4K
- 商品编号
- C2925581
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.509克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
AP12A390系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件。 PMPAK 3x3封装专为电压转换应用而设计，采用标准红外回流焊技术，背面带有散热器，以实现良好的热性能。
商品特性
~~- 驱动要求简单-开关特性快速-符合RoHS标准且无卤
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