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CR12N65FA9K
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
- 描述
- CR12N65F A9K是一款硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高的效率。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- CR12N65FA9K
- 商品编号
- C2925582
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.473nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 203pF |
商品概述
AON6298采用沟槽MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(on)、Ciss和Coss组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
应用领域
- 升压转换器
- 用于消费、电信、工业电源和LED背光的同步整流器
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