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ATM2310NSA实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ATM2310NSA

N沟道 耐压:60V 电流:3A

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描述
ATM2310NSA采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品型号
ATM2310NSA
商品编号
C2925123
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.036克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))110mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)7nC
输入电容(Ciss)250pF
反向传输电容(Crss)20pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

这款MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 高功率和电流处理能力
  • 表面贴装封装
  • RDS(ON) < 100 m Ω \left(VGS = 10 V\right)
  • RDS(ON)< 110 m Ω\left(VGS=4.5 V\right)

应用领域

-电池开关-DC/DC转换器

数据手册PDF