PN8368SSC-R1E

PN8368集成超低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8368为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于 50mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

• 内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
• 内置高压启动电路，小于 50mW 空载损耗（230VAC）
• 采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
• 全电压输入范围 ±5% 的CC/CV精度
• 原边反馈可省光耦和TL431
• 恒压、恒流、输出线补偿外部可调
• 无需额外补偿电容
• 无音频噪声
• 智能保护功能：过温保护 (OTP)、VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)、逐周期过流保护 (OCP)、CS开/短路保护 (CS O/SP)、开环保护 (OLP)

• 开关电源适配器
• 电池充电器
• 机顶盒电源