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RQ3E100BNTB
耐压:30V 电流:21A
- 描述
- 特性：低导通电阻。 高功率封装 (HSMT8)。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 无卤。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ3E100BNTB
- 商品编号
- C2924212
- 商品封装
- HSMT-8(3x3.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 占位面积仅0.6mm²，比SOT23小十三倍
- 厚度0.4mm，适用于薄型应用
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 负载开关
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