NSI6602A-DLAR
NSI6602A-DLAR
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- 描述
- NSI6602 是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动集成电路,可用于驱动开关频率高达 2MHz 的功率晶体管。每个输出端可提供 4A 的灌电流和 6A 的拉电流峰值,传播延迟仅 25ns,最大延迟匹配为 5ns。NSI6602 在 5*5mm LGA13 封装中可提供符合 UL1577 标准的 2500Vrms 隔离电压,在 SOIC-16 窄体封装中可提供 3000Vrms 隔离电压,在 SOIC-16 或 SOIC-14 宽体封装中可提供 5700Vrms 隔离电压
- 品牌名称
- NOVOSENSE(纳芯微)
- 商品型号
- NSI6602A-DLAR
- 商品编号
- C2923974
- 商品封装
- LGA-13
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 隔离电压(Vrms) | 2500 | |
| 通道数 | 2 | |
| 输入侧工作电压 | 3V~5.5V | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 灌电流(IOL) | 6A | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) | |
| 上升时间(tr) | 7ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 6ns | |
| 传播延迟 tpLH | 25ns | |
| 传播延迟 tpHL | 25ns | |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V~2V | |
| 输入低电平(VIL) | 0.8V~1.1V | |
| 静态电流(Iq) | 750uA | |
| CMTI(kV/us) | 100kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | 7V~25V |
商品概述
NSI6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动IC,可设计用于驱动开关频率高达2MHz的功率晶体管。每个输出可提供4A的峰值源电流和6A的峰值灌电流,具有25ns的快速传播延迟和最大5ns的延迟匹配。 NSI6602在5*5mm LGA13封装中可提供符合UL1577标准的2500Vrms隔离,在SOIC-16窄体封装中可提供3000Vrms隔离,在SOIC-16或SOIC-14宽体封装中可提供5700Vrms隔离。典型150kV/us的共模瞬态抗扰度(CMTI)支持系统的稳健性。 该驱动器的最大电源电压为28V,而输入侧可接受2.7V至5V的电源电压。所有电源电压引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。 凭借所有这些出色的特性,NSI6602适用于高可靠性、高功率密度和高效率的开关电源系统。
商品特性
- 隔离式双通道驱动器
- 输入侧电源电压:2.7V至5.5V
- 驱动器侧电源电压:带UVLO功能,最高25V
- 4A峰值源电流和6A峰值灌电流输出
- 高CMTI:典型值±150kV/us
- 典型传播延迟25ns
- 最大延迟匹配5ns
- 最大脉冲宽度失真6ns
- 可编程死区时间
- 最小输入脉冲宽度20ns
- 工作温度:-40℃至125℃
应用领域
- 服务器、电信和工业领域的隔离式DC-DC和AC-DC电源
- DC-AC太阳能逆变器
- 电机驱动器和电动汽车充电
- UPS和电池充电器
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