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EMB09N03A
N沟道,电流:50A,耐压:30V
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- 品牌名称
- EMC(杰力)
- 商品型号
- EMB09N03A
- 商品编号
- C2919829
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.449克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 828pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 174pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 196pF |
商品特性
- 带肖特基势垒二极管的高密度UMOS
- 高温下低漏电流
- 高转换效率
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 采用Diodes公司的单片SiMFET技术提高转换效率
- 100%进行UIS和Rg测试
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC-Q101标准，可靠性高
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