2N7002K_R1_000Z9
N沟道 耐压:60V 电流:300mA
- 描述
- 特性:RDS(ON),VGS@10V,VDS@500mA = 3Ω。 RDS(ON),VGS@4.5V,VDS@200mA = 4Ω。 先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计,实现超低导通电阻。 关断状态下漏电流极低。 专为电池供电系统、固态继电器驱动器设计,如继电器、显示器、灯、螺线管、存储器等。 ESD防护2KV HBM。 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品。 符合IEC 61249标准的绿色模塑料
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- 2N7002K_R1_000Z9
- 商品编号
- C2919017
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 35pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品特性
- 当VGS为10 V、IDS为500 mA时,RDS(ON) = 3 Ω
- 当VGS为4.5 V、IDS为200 mA时,RDS(ON) = 4 Ω
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 关断状态下漏电流极低
- 静电放电(ESD)保护达2 KV人体模型(HBM)
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 符合IEC 61249标准的环保模塑料
应用领域
- 笔记本电脑
- 负载开关
- 网络设备
- 手持仪器
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