温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SL2308
1个N沟道 耐压:60V 电流:1.8A
- 描述
- SL2308是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，并且在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL2308
- 商品编号
- C2918940
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 295pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 60V/1.8A,RDS(ON) = 135mΩ(典型值)@VGS = 10V
- 60V/1.5A,RDS(ON) = 154mΩ(典型值)@VGS = 4.5V
- 专为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3封装设计
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统