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SI2305
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A
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- 描述
- MOSFET,P-channel 20V/12V 4.1A VGS(th)=0.7V 46mΩ@4.1A&4.5V,SOT-23
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- SI2305
- 商品编号
- C344006
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 输入电容(Ciss) | 415pF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
~~- 先进沟槽工艺技术-用于超低导通电阻的高密度单元设计