温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI2333
1个P沟道 耐压:12V 电流:5.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- MOSFET,P-channel 12V/8V 5.1A VGS(th)=0.6V 28mΩ@5.1A&4.5V,SOT-23
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- SI2333
- 商品编号
- C344008
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
先进沟槽工艺技术 用于超低导通电阻的高密度单元设计 采用SOT - 23表面贴装封装。
商品特性
- VDS = -12V
- ID = -5.1A
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) 典型值 = 28mΩ
- 当VGS = -2.5V时，RDS(ON) 典型值 = 38mΩ