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DMT3006LFV-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT3006LFV-7
- 商品编号
- C343616
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.155nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 456pF |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET具有低导通状态漏源电阻（RDS(on)），可确保最小的功率损耗并节约能源，使这些器件非常适合用于对空间要求苛刻的电源管理电路。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保导通损耗最小化
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,可使终端产品体积更小
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
应用领域
-电源管理功能-模拟开关
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