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PTA05N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:5A
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- 描述
- N沟道,650V,1.85?@10V,5.0A
- 品牌名称
- PIP(丽隽)
- 商品型号
- PTA05N65
- 商品编号
- C343847
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.95克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.85Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品特性
- 符合RoHS标准
- 导通电阻RDS(ON)典型值 = 1.85 Ω（栅源电压VGS = 10 V时）
- 低栅极电荷，可降低开关损耗
- 快速恢复体二极管
应用领域
- 适配器
- 充电器
- 开关电源待机电源