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HYG013N04NA1B6
单N沟道,电流:354A,耐压:40V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG013N04NA1B6
- 商品编号
- C2914364
- 商品封装
- TO-263-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.141克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 354A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 326W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 265nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.097nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.028nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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