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TPH1R005PL,L1Q实物图
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TPH1R005PL,L1Q

硅N沟道MOS(U-MOSIX-H)

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 34 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 98 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.8 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 45 V)。 增强模式:VTH = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
TPH1R005PL,L1Q
商品编号
C2914323
商品封装
SOP-8-5.0mm​
包装方式
编带
商品毛重
0.263333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)45V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))1.04mΩ@10V
耗散功率(Pd)170W
阈值电压(Vgs(th))2.4V@1.0mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)122nC@10V
输入电容(Ciss)9.6nF
反向传输电容(Crss)76pF
类型N沟道
输出电容(Coss)1.86nF

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