TPH1R005PL,L1Q
硅N沟道MOS(U-MOSIX-H)
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- 描述
- 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 34 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 98 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.8 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 45 V)。 增强模式:VTH = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH1R005PL,L1Q
- 商品编号
- C2914323
- 商品封装
- SOP-8-5.0mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.263333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.04mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@1.0mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 122nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.86nF |
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