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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PUM6K31N

耐压:60V 电流:0.3A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
PUM6K31N
商品编号
C2912551
商品封装
SOT-363​
包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)300mA
导通电阻(RDS(on))2.5Ω@4.5V
耗散功率(Pd)350mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)3nC@10V
输入电容(Ciss)27pF@30V
反向传输电容(Crss)2pF@30V
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)18pF

商品特性

  • 获得无铅产品认证
  • 表面贴装封装
  • 具有低导通电阻(RDS(on))的P沟道开关
  • 可在低逻辑电平栅极驱动下工作
  • 栅极具备静电放电(ESD)保护
  • 与PRZM002P02T2L或TPM2030 - 3互补

应用领域

  • 负载/电源开关
  • 接口开关
  • 超小型便携式电子设备的电池管理
  • 逻辑电平转换

数据手册PDF