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10N06Q
N沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 20阈值电压VGS:±20V th(V):1～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):40/45 连续漏极电流ID(A):10A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 10N06Q
- 商品编号
- C30170165
- 商品封装
- SOT-89-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 49pF |
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