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S125N06F

耐压:60V 电流:125A

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描述
平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):60 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.2～2.2导通电阻RDS(ON) (mΩ):2.4连续漏极电流ID(A):125A
品牌名称
HL(富海微)
商品型号
S125N06F
商品编号
C30170167
商品封装
PDFN5x6-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.173克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)125A
导通电阻(RDS(on))2.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)113W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)111.56nC@10V
输入电容(Ciss)6.915nF
反向传输电容(Crss)132pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)3.282nF

数据手册PDF

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