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S125N06F
耐压:60V 电流:125A
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- 描述
- 平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):60 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.2～2.2导通电阻RDS(ON) (mΩ):2.4连续漏极电流ID(A):125A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- S125N06F
- 商品编号
- C30170167
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 111.56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.915nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 132pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 3.282nF |
商品特性
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于降低RDS(ON)的高密度单元设计
应用领域
- 直流-直流转换
- 功率开关
- PD充电器
- 电机驱动器
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