MS32F103C8T6

MS32F103x8和MS32F103xB增强型系列使用高性能的ARM Cortex™-M3 32位的RISC内核，工作频率为72MHz，内置高速存储器(高达128K字节的闪存和20K字节的SRAM)，丰富的增强I/O端口和联接到两条APB总线的外设。所有型号的器件都包含2个12位的ADC、3个通用16位定时器和1个PWM定时器，还包含标准和先进的通信接口：多达2个I2C接口和SPI接口、3个USART接口、一个USB接口和一个CAN接口。 MS32F103xx中等容量增强型系列产品供电电压为2.0V至3.6V，包含 -40℃至 +85℃温度范围和 -40℃至 +105℃的扩展温度范围。一系列的省电模式保证低功耗应用的要求。 MS32F103xx中等容量增强型系列产品提供包括从36脚至100脚的6种不同封装形式；根据不同的封装形式，器件中的外设配置不尽相同。

ARM的Cortex™-M3处理器是最新一代的嵌入式ARM处理器，它为实现MCU的需要提供了低成本的平台、缩减的引脚数目、降低的系统功耗，同时提供卓越的计算性能和先进的中断系统响应。 ARM的Cortex™-M3是32位的RISC处理器，提供额外的代码效率，在通常8和16位系统的存储空间上发挥了ARM内核的高性能。 MS32F103xx增强型系列拥有内置的ARM核心，因此它与所有的ARM工具和软件兼容。

64K或128K字节的内置闪存存储器，用于存放程序和数据。

CRC(循环冗余校验)计算单元使用一个固定的多项式发生器，从一个32位的数据字产生一个CRC码。 在众多的应用中，基于CRC的技术被用于验证数据传输或存储的一致性。在EN/IEC 60335-1标准的范围内，它提供了一种检测闪存存储器错误的手段，CRC计算单元可以用于实时地计算软件的签名，并与在链接和生成该软件时产生的签名对比。

20K字节的内置SRAM，CPU能以0等待周期访问(读/写)。

MS32F103xx增强型产品内置嵌套的向量式中断控制器，能够处理多达43个可屏蔽中断通道(不包括16个Cortex™-M3的中断线)和16个优先级。 该模块以最小的中断延迟提供灵活的中断管理功能。

外部中断/事件控制器包含19个边沿检测器，用于产生中断/事件请求。每个中断线都可以独立地配置它的触发事件(上升沿或下降沿或双边沿)，并能够单独地被屏蔽；有一个挂起寄存器维持所有中断请求的状态。EXTI可以检测到脉冲宽度小于内部APB2的时钟周期。多达80个通用I/O口连接到16个外部中断线。

系统时钟的选择是在启动时进行，复位时内部8MHz的RC振荡器被选为默认的CPU时钟，随后可以选择外部的、具失效监控的4~16MHz时钟；当检测到外部时钟失效时，它将被隔离，系统将自动地切换到内部的RC振荡器，如果使能了中断，软件可以接收到相应的中断。同样，在需要时可以采取对PLL时钟完全的中断管理(如当一个间接使用的外部振荡器失效时)。 多个预分频器用于配置AHB的频率、高速APB(APB2)和低速APB(APB1)区域。AHB和高速APB的最高频率是72MHz，低速APB的最高频率为36MHz。

在启动时，通过自举引脚可以选择三种自举模式中的一种：从程序闪存存储器自举、从系统存储器自举、从内部SRAM自举。 自举加载程序(Bootloader)存放于系统存储器中，可以通过USART1对闪存重新编程。

VDD = 2.0~3.6V：VDD引脚为I/O引脚和内部调压器供电。 VSSA，VDDA = 2.0~3.6V：为ADC、复位模块、RC振荡器和PLL的模拟部分提供供电。使用ADC时，VDDA不得小于2.4V。VDDA和VSSA必须分别连接到VDD和VSS。 VBAT = 1.8~3.6V：当关闭VDD时，(通过内部电源切换器)为RTC、外部32kHz振荡器和后备寄存器供电。

本产品内部集成了上电复位(POR)/掉电复位(PDR)电路，该电路始终处于工作状态，保证系统在供电超过2V时工作；当VDD低于设定的阀值(VPOR/PDR)时，置器件于复位状态，而不必使用外部复位电路。 器件中还有一个可编程电压监测器(PVD)，它监视VDD/VDDA供电并与阀值VPVD比较，当VDD低于或高于阀值VPVD时产生中断，中断处理程序可以发出警告信息或将微控制器转入安全模式。PVD功能需要通过程序开启。

调压器有三个操作模式：主模式(MR)、低功耗模式(LPR)和关断模式 主模式(MR)用于正常的运行操作 低功耗模式(LPR)用于CPU的停机模式 关断模式用于CPU的待机模式：调压器的输出为高阻状态，内核电路的供电切断，调压器处于零消耗状态(但寄存器和SRAM的内容将丢失) 该调压器在复位后始终处于工作状态，在待机模式下关闭处于高阻输出。

MS32F103xC、MS32F103xD和MS32F103xE增强型产品支持三种低功耗模式，可以在要求低功耗、短启动时间和多种唤醒事件之间达到最佳的平衡。 睡眠模式在睡眠模式，只有CPU停止，所有外设处于工作状态并可在发生中断/事件时唤醒CPU。

• 最高72MHz工作频率，在存储器的0等待周期访问时可达1.25DMips/MHz(Dhrystone2.1)
• 单周期乘法和硬件除法
• 从64K或128K字节的闪存程序存储器，高达20K字节的SRAM
• 2.0~3.6伏供电和I/O引脚
• 上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测器(PVD)
• 4～16MHz晶体振荡器
• 内嵌经出厂调校的8MHz的RC振荡器
• 内嵌带校准的40kHz的RC振荡器
• 产生CPU时钟的PLL
• 带校准功能的32kHz RTC振荡器
• 睡眠、停机和待机模式，VBAT为RTC和后备寄存器供电
• 2个12位模数转换器，1μs转换时间(多达16个输入通道)
• 转换范围：0至3.6V，双采样和保持功能，温度传感器
• 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I2C和USART
• 多达80个快速I/O端口，26/37/51/80个I/O口，所有I/O口可以映像到16个外部中断；几乎所有端口均可容忍5V信号
• 串行单线调试(SWD)和JTAG接口
• 3个16位定时器，每个定时器有多达4个用于输入捕获/输出比较/PWM或脉冲计数的通道和增量编码器输入
• 1个16位带死区控制和紧急刹车，用于电机控制的PWM高级控制定时器
• 2个看门狗定时器(独立的和窗口型的)
• 系统时间定时器：24位自减型计数器
• 多达2个I2C接口(支持SMBus/PMBus)
• 多达3个USART接口(支持ISO7816接口，LIN，IrDA接口和调制解调控制)
• 多达2个SPI接口(18M位/秒)
• CAN接口(2.0B 主动)
• USB 2.0全速接口
• CRC计算单元，96位的芯片唯一代码
• ECOPACK封装
• 紧耦合的NVIC能够达到低延迟的中断响应处理
• 中断向量入口地址直接进入内核
• 紧耦合的NVIC接口
• 允许中断的早期处理
• 处理晚到的较高优先级中断
• 支持中断尾部链接功能
• 自动保存处理器状态
• 中断返回时自动恢复，无需额外指令开销
• 系统时钟复位时内部8MHz的RC振荡器被选为默认的CPU时钟，随后可选择外部的、具失效监控的4~16MHz时钟；当外部时钟失效时，系统自动切换到内部RC振荡器，若使能中断，软件可接收相应中断
• 多个预分频器用于配置AHB、高速APB(APB2)和低速APB(APB1)区域，AHB和高速APB最高频率72MHz，低速APB最高频率36MHz
• 启动时可通过自举引脚选择三种自举模式：从程序闪存存储器自举、从系统存储器自举、从内部SRAM自举
• 自举加载程序(Bootloader)存放于系统存储器中，可通过USART1对闪存重新编程
• 内部集成上电复位(POR)/掉电复位(PDR)电路，保证系统在供电超过2V时工作；当VDD低于设定阀值(VPOR/PDR)时，置器件于复位状态
• 可编程电压监测器(PVD)，监视VDD/VDDA供电并与阀值VPVD比较，当VDD低于或高于阀值VPVD时产生中断
• 调压器有主模式(MR)、低功耗模式(LPR)和关断模式
• 主模式(MR)用于正常运行操作
• 低功耗模式(LPR)用于CPU的停机模式
• 关断模式用于CPU的待机模式：调压器输出为高阻状态，内核电路供电切断，调压器零消耗(寄存器和SRAM内容丢失)
• 调压器复位后始终工作，待机模式下关闭处于高阻输出
• MS32F103xC、MS32F103xD和MS32F103xE增强型产品支持三种低功耗模式，可在低功耗、短启动时间和多种唤醒事件间达最佳平衡
• 睡眠模式下只有CPU停止，所有外设工作，可在发生中断/事件时唤醒CPU

• 电机驱动和应用控制
• 医疗和手持设备
• PC游戏外设和GPS平台
• 工业应用：可编程控制器(PLC)、变频器、打印机和扫描仪
• 警报系统、视频对讲、和暖气通风空调系统等