1个P沟道 耐压:60V 电流:150A
- 1+: ¥14.51 / 个
- 10+: ¥12.48 / 个
- 30+: ¥11.21 / 个
- 100+: ¥9.55 / 个
- 500+: ¥8.96 / 个
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¥11.21 / 个 |
100+: |
¥9.55 / 个 |
500+: |
¥8.96 / 个 |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 150A | |
功率(Pd) | 183W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.9mΩ@10V,50A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 280nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 17.9nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 680pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |