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HSH047P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:150A
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- 描述
- HSH047P06是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSH047P06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSH047P06
- 商品编号
- C2909634
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 183W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 280nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 17.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 680pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.701nF |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管功率MOSFET
应用领域
- 便携式设备负载开关
- 直流-直流转换器
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