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BL6N120-A
1个N沟道 耐压:1200V 电流:6A
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- 描述
- BL6N120是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
- 品牌名称
- BL(上海贝岭)
- 商品型号
- BL6N120-A
- 商品编号
- C2909399
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.842克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.96nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 122pF |
商品概述
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 用于低 RDS(on) 的高密度单元设计
商品特性
- 100% 非钳位感性开关（UIS）测试
- 100% 漏源电压变化（▽VDS）测试
应用领域
- DC-DC 转换器-电源管理功能-工业和电机驱动应用