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HY1506D
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:60V 电流:55A
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- 描述
- 特性：60V/55A。 RDS(ON) = 10.5mΩ (typ.) @ VGS = 10V。 雪崩额定。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY1506D
- 商品编号
- C2908847
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.529克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.522nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 172pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 666pF |
商品概述
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 用于低 RDS(on) 的高密度单元设计
应用领域
- DC-DC 转换器-电源管理功能-工业和电机驱动应用
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