MX25V20066M1I02
MX25V20066M1I02
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- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25V20066M1I02
- 商品编号
- C2908104
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 80MHz | |
| 工作电压 | 2.3V~3.6V | |
| 待机电流 | 20uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | 40ms | |
| 页写入时间(Tpp) | 4ms | |
| 块擦除时间(tBE) | 4s@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位 |
商品概述
MX25V20066是一款2Mb的串行NOR闪存,内部配置为1,048,576 x 2。它具有串行外设接口和软件协议,在单I/O模式下可在简单的三线总线上运行,三条总线信号分别为时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)和串行数据输出(SO),通过CS#输入实现对设备的串行访问。在双I/O读取模式下,SI引脚和SO引脚变为SIO0引脚和SIO1引脚,用于地址/虚拟位输入和数据输出。MX25V20066的MXSMIO®(串行多I/O)可在整个芯片上进行顺序读取操作。发出编程/擦除命令后,将执行自动编程/擦除算法,对指定的页面或扇区/块位置进行编程/擦除和验证。编程命令可按字节、页面(256字节)或字执行,擦除命令可按4K字节扇区、32KB块(32K字节)、64K字节块或整个芯片执行。为方便用户接口,包含一个状态寄存器以指示芯片状态,可通过发出状态读取命令,通过WIP位检测编程或擦除操作的完成状态。
商品特性
- 支持串行外设接口模式0和模式3
- 具有2,097,152 x 1位结构或1,048,576 x 2位(双输出模式)结构
- 具有4K字节的等扇区、32K字节的等块或64K字节的等块,任何块均可单独擦除
- 单电源供电
- 操作电压:读取、擦除和编程操作的电压为2.3V - 3.6V
- 从 -1V到Vcc +1V可承受100mA的闩锁保护
- 高性能:快速读取,1 I/O模式下80MHz,有8个虚拟周期;11/2O模式下80MHz,有8个虚拟周期,相当于160MHz;快速编程和擦除时间
- 低功耗
- 典型的100,000次擦除/编程循环
- 20年数据保留
- 输入数据格式为1字节命令代码
- 具有高级安全功能:块锁定保护,BP0 - BP3状态位定义软件保护区域的大小,防止编程和擦除指令;自动擦除和自动编程算法,自动擦除和验证所选扇区或块的数据,通过内部算法自动编程和验证所选页面的数据(任何要编程的页面应首先处于擦除状态)
- 状态寄存器功能
- 电子标识:JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID;RES命令用于获取1字节设备ID;REMS命令用于获取1字节制造商ID和1字节设备ID
- 支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式
- 支持唯一ID(详情请联系当地旺宏销售)
- SCLK输入为串行时钟输入
- SI/SI00为2 x I/O读取模式下的串行数据输入或串行数据输入/输出
- SO/SIO1为2 x I/O读取模式下的串行数据输出或串行数据输入/输出
- WP#为硬件写保护
- 封装形式有8引脚SOP(150mil)、8引脚SOP(200mil)、8焊盘USON(2x3mm)
- 所有设备均符合RoHS标准且无卤
