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K2N7002T-7-F
N沟道,60V,115mA,7.5mΩ@-10V
- 描述
- 特性：低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 符合 RoHS 标准。 环保电磁兼容性。 雾锡（Sn）引脚镀层。 重量：约 0.002g
- 品牌名称
- KUU
- 商品型号
- K2N7002T-7-F
- 商品编号
- C2904827
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |