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CR4N60A4K
N沟道 耐压:600V 电流:4A
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- 描述
- CR4N60 A4K是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管可应用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- CR4N60A4K
- 商品编号
- C2904799
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.583克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 583pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |
商品特性
- 30V/11A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) = 9.5 mΩ（典型值）
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 12.5 mΩ（典型值）
- 经过100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 有无卤环保器件可供选择（符合RoHS标准）
应用领域
- DC/DC电源管理
- 开关应用
- 无线供电