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AP80N04Q
停产 N沟道,电流:40A,耐压:40V
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- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP80N04Q
- 商品编号
- C2903771
- 商品封装
- PDFN-8(3.1x3.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.103克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 21W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.4nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 167pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSBA4909是高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSBA4909符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有雪崩耐量（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 40V、40A
- RDS(ON) < 7.5mΩ(VGS = 10V 时,典型值 5.7mΩ)
- RDS(ON) < 14mΩ(VGS = 4.5V 时,典型值 10mΩ)
- 先进沟槽技术
- 符合无铅产品要求
- 出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 电源管理
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