NVMFWS4D5N08XT1G
80V,4.5mΩ,92A N沟道标准栅极单功率MOSFET
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- 描述
- 特性:低QR,软恢复体二极管。低RDS(on)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动损耗。AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤/无BFR且符合RoHS标准。应用:直流-直流和交流-直流中的同步整流(SR)。隔离式直流-直流转换器中的初级开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFWS4D5N08XT1G
- 商品编号
- C29841638
- 商品封装
- DFNW-5(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.200039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 92A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 82W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 490pF |
商品特性
- 低反向恢复电荷(QRR)、软恢复体二极管
- 低导通电阻(RDS(on)),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷(QG)和电容,以最小化驱动损耗
- 通过 AEC - Q101 认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合 RoHS 标准
应用领域
- 直流 - 直流(DC - DC)和交流 - 直流(AC - DC)中的同步整流(SR)
- 隔离式直流 - 直流(DC - DC)转换器中的初级开关
- 电机驱动
- 汽车 48 V 系统
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