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2SK2046-JSM
30V N沟道MOSFET,电流:55A,耐压:30V
- 描述
- 便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- 2SK2046-JSM
- 商品编号
- C29779714
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NCE6005AS是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30V,漏极电流(ID) = 55A,当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 10mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻(RDS(ON))。
- 采用出色的封装,散热性能良好。
应用领域
- 电源管理-便携式设备-DC/DC转换器-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器