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FQPF8N60C-VB
N沟道 耐压:650V 电流:7A
- 描述
- TO220F；N—Channel沟道,650V；7A；RDS(ON)=1100mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FQPF8N60C-VB
- 商品编号
- C29779555
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 直流-直流（DC/DC）转换器
- 便携式应用的负载开关