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2N06L07-VB TO220
场效应管 （MOSFET)
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2N06L07-VB TO220
- 商品编号
- C29779558
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 325pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 570pF |
商品特性
- 较低的栅极电荷Qg，降低驱动要求
- 改善栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性
- 全面表征电容和雪崩电压
- 符合RoHS指令2002/95/EC