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HFP12N60U-VB
N沟道 耐压:650V 电流:9A
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,700V；9A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- HFP12N60U-VB
- 商品编号
- C29779348
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 123W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
~~- 优化设计-低面积比导通电阻-低输入电容(Ciss)-降低电容开关损耗-高体二极管耐用性-雪崩能量额定(UIS)-优化效率和运行-低成本-简单的栅极驱动电路-低品质因数(FOM):Ron × QG-快速开关-符合RoHS标准-无卤
应用领域
- 消费电子-显示器(液晶或等离子电视)-服务器和电信电源-开关电源-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-功率因数校正(PFC)