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09N03LA-VB TO252
N沟道 耐压:30V 电流:80A
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 09N03LA-VB TO252
- 商品编号
- C29779511
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V；6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 205W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.201nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 525pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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