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IXFH110N10P-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFH110N10P-VB

N沟道,电流:150A,耐压:100V

描述
TO247;N—Channel沟道,100V;150A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
商品型号
IXFH110N10P-VB
商品编号
C29779383
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
8.6克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@10V
耗散功率(Pd)375W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)110nC@10V
输入电容(Ciss)6.7nF
反向传输电容(Crss)280pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)750pF

商品特性

  • 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
  • 低输入电容 (Ciss)
  • 降低开关和传导损耗
  • 超低栅极电荷 (Qg)
  • 雪崩能量额定值 (UIS)

应用领域

  • 服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能 (光伏逆变器)

数据手册PDF