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TK14A55D-VB

N沟道 耐压:550V 电流:11A

描述
TO220F;N—Channel沟道,550V;18A;RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
商品型号
TK14A55D-VB
商品编号
C29779373
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.15克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)550V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))260mΩ@10V
耗散功率(Pd)60W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)150nC@10V
输入电容(Ciss)3.094nF
反向传输电容(Crss)13pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)152pF

商品特性

-优化设计-低面积比导通电阻-低输入电容(Ciss)-降低电容开关损耗-高体二极管耐用性-雪崩能量额定值(UIS)-最佳效率和运行性能-低成本-简单的栅极驱动电路-低品质因数(FOM):Ron × QG-快速开关-符合RoHS标准-无卤

应用领域

-消费电子-显示器(LCD或等离子电视)-服务器和电信电源-开关电源(SMPS)-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-功率因数校正(PFC)

数据手册PDF