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QN7002-T1B-A-VB
N沟道,电流:250mA,耐压:60V
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- 描述
- SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- QN7002-T1B-A-VB
- 商品编号
- C29779175
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 400pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5pF |
商品特性
~~- 优化设计-低面积比导通电阻-低输入电容(Ciss)-降低电容开关损耗-高体二极管耐用性-雪崩能量额定值(UIS)-最佳效率和运行性能-低成本-简单的栅极驱动电路-低品质因数(FOM):Ron × QG-快速开关-符合RoHS标准-无卤
应用领域
- 消费电子-显示器(LCD或等离子电视)-服务器和电信电源-开关电源(SMPS)-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-功率因数校正(PFC)