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SI4982DY-T1-E3-VB
N沟道 耐压:100V 电流:5.8A
- 描述
- SOP8；2个N—Channel沟道,100V；5.8A；RDS(ON)=63mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4982DY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C29779193
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 84mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
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