温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
070N10NS3-VB
N沟道,电流:95A,耐压:100V
- 描述
- DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 070N10NS3-VB
- 商品编号
- C29779082
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 132pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温175 °C
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 隔离式DC/DC转换器
- N沟道MOSFET