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AON7452-VB
N沟道 耐压:100V 电流:50A
- 描述
- DFN8(3X3)；N—Channel沟道,100V；4A；RDS(ON)=130mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AON7452-VB
- 商品编号
- C29779102
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 73pF | |
| 栅极电压(Vgs) | - |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 经过100%栅极电阻(Rg)和非箝位感性开关(UIS)测试
应用领域
- 初级侧开关
- 浪涌电流限制器