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P45N02LDG-VB
N沟道 耐压:30V 电流:70A
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- P45N02LDG-VB
- 商品编号
- C29779052
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.201nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟2011/65/EU号RoHS指令
应用领域
- 或门应用
- 服务器
- 直流-直流转换