温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
D9N40-VB
N沟道 耐压:650V 电流:7A
- 描述
- TO251；N—Channel沟道,650V；7A；RDS(ON)=700mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- D9N40-VB
- 商品编号
- C29778955
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
优惠活动
购买数量
(80个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个80个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单