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FDB8444-VB
N沟道 耐压:40V 电流:100A
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,40V；100A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDB8444-VB
- 商品编号
- C29778964
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 雷霆功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 100%进行Rg和UIS测试
- 材料分类:有关合规性定义,请参阅“符合RoHS标准、无卤素”
- N沟道MOSFET
应用领域
- 初级侧开关