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SPP4925S8RG-VB
P沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 描述
- SOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-8A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SPP4925S8RG-VB
- 商品编号
- C29778706
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品概述
CoolMOS™ 第八代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计，由英飞凌科技公司率先推出。600V CoolMOS™ CM8系列是CoolMOS™ 7的换代产品。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如低振铃倾向，所有产品均采用快速体二极管（CFD），具备出色的抗硬换向能力和优秀的静电放电（ESD）能力。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
应用领域
- 负载开关
- 笔记本电脑
- 台式电脑
- 游戏机