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STP8NM50N-VB
N沟道,电流:8.1A,耐压:500V
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- 描述
- TO220；N—Channel沟道,500V；13A；RDS(ON)=660mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STP8NM50N-VB
- 商品编号
- C29778713
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.95克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 660mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.91nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
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