SIP32509DT-T1-GE3
1.1V至5.5V带受控上升时间的负载开关
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- 描述
- SiP32508和SiP32509是压摆率可控的负载开关,适用于1.1 V至5.5 V的工作电压。开关元件采用n沟道器件,在较宽的输入电压范围内,典型导通电阻Rₒₙ低至44 mΩ。该器件可确保在1.2 V输入时具有较低的开关导通电阻。其特点是具有典型值为2.5 ms的可控软启动压摆率,可限制容性负载设计中的浪涌电流,并最大程度减小电源轨上的电压降。这些器件具有低电压控制逻辑接口(开/关接口),无需额外的电平转换电路即可与低电压控制信号连接。SiP32508和SiP32509具有极低的关断电流,并具备反向阻断功能,可防止大电流倒灌至电源。SiP32509集成了开关关断输出放电电路。SiP32508和SiP32509均采用TSOT23-6封装。SiP32508和SiP32509是先进的压摆率可控高端负载开关,由n沟道功率开关组成。当器件使能时,功率开关的栅极以可控速率开启,避免产生过大的浪涌电流。完全导通后,功率开关的栅源电压偏置在恒定电平。这种设计使得在整个工作电压范围内导通电阻保持稳定。当器件关断时,如果输出电压高于输入电压,反向阻断电路可防止电流倒灌至输入。即使在无输入电压的情况下,反向阻断机制依然有效。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIP32509DT-T1-GE3
- 商品编号
- C335619
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 高侧开关 | |
| 最大连续电流 | 3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.1V~5.5V | |
| 导通电阻 | 47mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
SiP32508和SiP32509是压摆率可控的负载开关,适用于1.1 V至5.5 V的工作电压。 开关元件采用n沟道器件,在较宽的输入电压范围内,典型导通电阻Rₒₙ低至44 mΩ。 该器件可确保在1.2 V输入时具有较低的开关导通电阻。其特点是具有典型值为2.5 ms的可控软启动压摆率,可限制容性负载设计中的浪涌电流,并最大程度减小电源轨上的电压降。 这些器件具有低电压控制逻辑接口(开/关接口),无需额外的电平转换电路即可与低电压控制信号连接。 SiP32508和SiP32509具有极低的关断电流,并具备反向阻断功能,可防止大电流倒灌至电源。 SiP32509集成了开关关断输出放电电路。SiP32508和SiP32509均采用TSOT23-6封装。
SiP32508和SiP32509是先进的压摆率可控高端负载开关,由n沟道功率开关组成。当器件使能时,功率开关的栅极以可控速率开启,避免产生过大的浪涌电流。完全导通后,功率开关的栅源电压偏置在恒定电平。这种设计使得在整个工作电压范围内导通电阻保持稳定。当器件关断时,如果输出电压高于输入电压,反向阻断电路可防止电流倒灌至输入。即使在无输入电压的情况下,反向阻断机制依然有效。
商品特性
- 工作电压范围:1.1 V至5.5 V
- 低导通电阻Rₒₙ,在低至1.2 V时保持稳定
- 在1.5 V至5 V范围内,典型值为44 mΩ
- 符合RoHS标准
- 压摆率可控开启:在3.6 V时为2.5 ms
- 无卤
- 禁用时静态电流低至<1 μA
- 在V₁ₙ = 1.2 V时,典型值为10.5 μA
- 开关关断时具有反向电流阻断功能,保证漏电流小于2 μA
应用领域
- 个人数字助理(PDA)/智能手机
- 超级本和笔记本电脑
- 平板电脑
- 便携式媒体播放器
- 数码相机
- GPS导航设备
- 数据存储设备
- 光学、工业、医疗和保健设备
- 外设
- 办公自动化设备
- 网络设备
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交25单
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