SIRA01DP-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:26A 电流:60A
- SMT扩展库
- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SIRA01DP-T1-GE3商品编号
C335620商品封装
SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.248克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 60A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.9mΩ@10V,60A | |
功率(Pd) | 5W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 27nC@15V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.49nF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 70pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
3000+¥5.135827¥15407.48
优惠活动
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订货9-15个工作日购买数量(3000个/圆盘,最小起订量 9000000 个 )
个
起订量:9000000 个3000个/圆盘
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