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SIRA01DP-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:26A 电流:60A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV p沟道功率MOSFET。 极低的Qg d “米勒”电荷和Q gd/Q gs 比 <1。 100% R g 和UIS测试。 RoHS合规，无卤。应用：适配器和充电器开关。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA01DP-T1-GE3
- 商品编号
- C335620
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.248克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.49nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
NCE6050IA采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- TrenchFET第四代P沟道功率MOSFET
- 极低的 Qgd “米勒”电荷,且 Qgd / Qgs 比值 < 1
- 100%进行 Rg 和UIS测试
应用领域
-适配器和充电器开关-负载开关-电机驱动控制-DC/DC转换器-电源
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