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IRF9610PBF
1个P沟道 耐压:200V 电流:1.8A
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- 描述
- P沟道 200V 1.8A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF9610PBF
- 商品编号
- C335250
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.663克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
功率MOSFET技术是威世（Vishay）先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。功率MOSFET设计采用高效的几何结构和独特的工艺，实现了极低的导通电阻，同时具备高跨导和出色的器件耐用性。 TO - 220封装在功率耗散水平约达50 W的所有商业 - 工业应用中普遍受到青睐。TO - 220的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛认可。
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- P沟道
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 提供无铅(Pb)版本
- 符合RoHS标准