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DMN2250UFB-7B
N沟道,电流:1.35A,耐压:20V
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2250UFB-7B
- 商品编号
- C2892682
- 商品封装
- X1-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 94pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
20N06采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于各种应用。
商品特性
- 先进的沟槽技术
- 出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
- 漏源电压（VDS） = 60 V
- 漏极电流（ID） = 20 A（栅源电压（VGS） = 10 V）
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） < 23 mΩ（栅源电压（VGS） = 10 V）
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） < 29 mΩ（栅源电压（VGS） = 4.5 V）
- 获得无铅产品认证