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DMTH43M8LPSQ-13
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：无刷直流（BLDC）电机、直流-直流（DC-DC）转换器、负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH43M8LPSQ-13
- 商品编号
- C2892750
- 商品封装
- Power-DI-5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.367nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 104pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 850pF |
商品特性
- 40V/170A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON)= 2.1 mΩ（典型值）
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON)= 2.9 mΩ（典型值）
- 经过100%雪崩测试
- 可靠且耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- DC/DC电源管理
- N沟道MOSFET
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